北京国浩微磁电子智能传感器技术研究所简介：北京国浩微磁电子智能传感器技术研究所于2003年在北京组建成立，是一所以传感器为核心，集材料科学、MEMS技术、先进制造装备及应用系统开发的专业科研单位。研究所现有科研人员及职工百余人，其中流动院士2名，研究员、博士、高工、教授、硕士等占70%，高级技工、本科生占25%，老中青相结合，35岁以下研究人员占80%。各种实验、测试、检测设备投入数千万元人民币。研究所设立了十个中心及研究室。第一研究室：情报信息与基础科学研究室；第二研究室：新材料研究室；第三研究室：软件工程研究室；第四研究室：理化测试中心；第五研究室：电子工程与集成电路工艺研究室；第六研究室：微细加工与精密制造研究室；第七研究室：应用开发研究室；第八研究室：专用设备研究室；第九研究室：培训中心；第十研究室：中试基地。
地址：北京市海淀区学院路35号世宁大厦802室
电话：010-82311739 82319097
邮编：100083

传感器封装工艺工程师

本科，招聘人数，2人
职位要求:
1、大学本科以上学历，系统封装、工艺、机械设计等相关专业；
2、2年以上传感器芯片及封装设计或工艺工作经验；
3、熟悉芯片封装设备，工艺流程；
4、对传感器及MEMS有一定了解并了解其加工工艺；
5、较强的沟通能力，有进取心和责任心和良好的团队精神；
6、有较强的动手能力，接受能力强；
7、具有良好的质量意识，成本意识。

MEMS工程师

硕士，招聘人数，2人
职位要求：
具有MEMS传感器的设计、加工和测试经验；
熟悉MEMS传感器的设计手段，如理论设计、有限元分析等；
理解MEMS加工工艺，有实际的MEMS器件加工经验者更佳；
硕士学位以上，能够熟练阅读英文技术文献。

电磁场与微波工程师

本科，招聘人数，3人
职位要求：
电磁场与微波技术相关专业；使用过网络分析仪，掌握其工作原理；熟悉HFSS及Maxwell等电磁仿真软件